索罗门游戏代理:FinFET 寿终正寝!台积电 2nm GAA 工艺研发进度超前:落后三星一代

业界
2020
09/22
21:03
快科技
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出处:快科技 作者:万南

当前,最先进的芯片已经采用了 5nm 工艺(苹果 A14),这在另一方面也意味着,晶圆代工厂商们需要更加马不停蹄地推进制程技术的迭代。

来自 Digitimes 的最新报道称,台积电 2nm GAA 工艺研发进度提前,目前已经结束了路径探索阶段。

GAA 即环绕栅极晶体管,旨在取代走到尽头的 FinFET(鳍式场效应晶体管)。FinFET 由华人科学家胡正明团队研制,首发于 45nm,目前已经推进到 5nm。

不过,据说台积电的 3nm 依然延续 FinFET,但三星则会提前于 3nm 导入 GAA 技术。

基于全新的 GAA 晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥 - 通道场效应管),与现在的 7nm 工艺相比,3nm 工艺可将核心面积减少 45%,功耗降低 50%,性能提升 35%。

当然,落后其实并不可怕,最主要看进度。三星 7nm 也是想 " 一口吃个胖子 ",直接导入 EUV 极紫外光刻,结果起个大早赶个晚集,被台积电用 7nm DUV 抢先,自己实际并未揽获多少有价值的订单。

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